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元件参数资料
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参数目录40275
> IRLHS6376TR2PBF MOSFET N-CH 30V 3.4A DUAL PQFN
型号:
IRLHS6376TR2PBF
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
International Rectifier
描述:
MOSFET N-CH 30V 3.4A DUAL PQFN
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
IRLHS6376TR2PBF PDF
特色产品
Dual PQFN 2x2 and Dual PQFN 3.3x3.3 Power MOSFETs
标准包装
400
系列
HEXFET®
FET 型
2 个 N 沟道(双)
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
3.6A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
63 毫欧 @ 3.4A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
1.1V @ 10µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
2.8nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
270pF @ 25V
功率 - 最大
1.5W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
6-VDFN 裸露焊盘
供应商设备封装
6-PQFN(2x2)
包装
带卷 (TR)
其它名称
IRLHS6376TR2PBF-ND
IRLHS6376TR2PBFTR
查看IRLHS6376TR2PBF代理商
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